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Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
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  • W29N01HVBINF

W29N01HVBINF

プロダクト細部
カテゴリー:
集積回路 (IC) 記憶力 記憶力
製品の状況:
アクティブ
マウントタイプ:
表面マウント
パッケージ:
トレー
シリーズ:
-
DigiKey プログラム可能:
確認されていない
メモリインターフェース:
パラレル
サイクルの時間 - 単語,ページ:
25ns
供給者のデバイスパッケージ:
63-VFBGA (9x11)
メモリタイプ:
不揮発性
Mfr:
Winbondの電子工学
メモリサイズ:
1Gbit
電圧 - 供給:
2.7V~3.6V
アクセス時間:
25 ns
パッケージ/ケース:
63-VFBGA
記憶 の 組織:
128M x 8
動作温度:
-40°C ~ 85°C (TA)
テクノロジー:
フラッシュ-否定論履積(SLC)
基本製品番号:
W29N01
メモリ形式:
フラッシュ
支払及び船積みの言葉
記述
IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
製品の説明
FLASH - NAND (SLC) メモリIC 1Gbit パラレル 25 ns 63-VFBGA (9x11)

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