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Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
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  • DS1265Y-70IND+

DS1265Y-70IND+

プロダクト細部
カテゴリー:
集積回路 (IC) 記憶力 記憶力
製品の状況:
アクティブ
マウントタイプ:
穴を抜ける
パッケージ:
トューブ
シリーズ:
-
DigiKey プログラム可能:
確認されていない
メモリインターフェース:
パラレル
サイクルの時間 - 単語,ページ:
70ns
供給者のデバイスパッケージ:
36-EDIP
メモリタイプ:
不揮発性
Mfr:
アナログ・デバイスズ・インク/マキシム・インテグレート
メモリサイズ:
8Mbit
電圧 - 供給:
4.5V~5.5V
アクセス時間:
70 ns
パッケージ/ケース:
36-DIPモジュール (0.610", 15.49mm)
記憶 の 組織:
1M x 8
動作温度:
-40°C ~ 85°C (TA)
テクノロジー:
NVSRAM (不揮発性SRAM)
基本製品番号:
DS1265Y
メモリ形式:
NVSRAM
支払及び船積みの言葉
記述
IC NVSRAM 8MBIT PARALLEL 36EDIP
製品の説明
NVSRAM (非揮発性 SRAM) メモリIC 8Mbit パラレル 70 ns 36-EDIP

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