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Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
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  • CY14B116M-BZ45XI

CY14B116M-BZ45XI

プロダクト細部
カテゴリー:
集積回路 (IC) 記憶力 記憶力
製品の状況:
アクティブ
マウントタイプ:
表面マウント
パッケージ:
トレー
シリーズ:
-
DigiKey プログラム可能:
確認されていない
メモリインターフェース:
パラレル
サイクルの時間 - 単語,ページ:
45ns
供給者のデバイスパッケージ:
165-FBGA (15x17)
メモリタイプ:
不揮発性
Mfr:
インフィニオン・テクノロジーズ
メモリサイズ:
16Mbit
電圧 - 供給:
2.7V~3.6V
アクセス時間:
45 ns
パッケージ/ケース:
165-LBGA
記憶 の 組織:
1M × 16
動作温度:
-40°C ~ 85°C (TA)
テクノロジー:
NVSRAM (不揮発性SRAM)
基本製品番号:
CY14B116
メモリ形式:
NVSRAM
支払及び船積みの言葉
記述
IC NVSRAM 16MBIT PAR 165FBGA
製品の説明
NVSRAM (非揮発性 SRAM) メモリIC 16Mbit パラレル 45 ns 165-FBGA (15x17)

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