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VS-ETF150Y65U
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VS-ETF150Y65U

VS-ETF150Y65U

プロダクト細部
カテゴリー:
離散半導体製品 トランジスタ IGBT IGBT モジュール
現在-コレクター（（最高） IC）:
142 A
製品の状況:
時代遅れ
マウントタイプ:
シャーシマウント
パッケージ:
トレー
シリーズ:
-
パッケージ/ケース:
EMIPAK-2B
Vce （） （最高） @ Vge、IC:
2.06V @ 15V,100A
電圧-コレクターのエミッターの故障（最高）:
650ボルト
供給者のデバイスパッケージ:
EMIPAK-2B
Mfr:
Vishay大将半導体-ダイオード部
動作温度:
175°C （TJ）
現在-コレクターの締切り（最高）:
100μA
IGBTのタイプ:
堀
パワー最高:
417W
インプット:
スタンダード
入れられたキャパシタンス（Cies） @ Vce:
6.6 nF @ 30V
構成:
3 レベル インバーター
NTCのサーミスター:
違う
基本製品番号:
ETF150について
支払及び船積みの言葉
ストック
ストック
輸送方法
LCL,AIR,FCL,エクスプレス
記述
IGBT MOD 650V 142A エミパック-2B
支払条件
L/C,D/A,D/P,T/T,ウェスタンユニオン,マネーグラム
製品の説明
IGBT モジュール トレンチ 3 レベルインバーター 650 V 142 A 417 W シャーシマウント EMIPAK-2B

札:

トランジスターIC破片,

埋め込まれた破片,

埋め込まれた破片SMD

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