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MIP50R12E2ATN-BP
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MIP50R12E2ATN-BP

MIP50R12E2ATN-BP

プロダクト細部
カテゴリー:
離散半導体製品 トランジスタ IGBT IGBT モジュール
現在-コレクター（（最高） IC）:
50 A
製品の状況:
アクティブ
マウントタイプ:
シャーシマウント
パッケージ:
散装品
シリーズ:
-
パッケージ/ケース:
モジュール
Vce （） （最高） @ Vge、IC:
2.3V @ 15V、50A
電圧-コレクターのエミッターの故障（最高）:
1200ボルト
供給者のデバイスパッケージ:
E2A
Mfr:
マイクロ商業Co
動作温度:
-40°C | 150°C （TJ）
現在-コレクターの締切り（最高）:
1 mA
IGBTのタイプ:
-
パワー最高:
288 W
インプット:
三相橋整流器
入れられたキャパシタンス（Cies） @ Vce:
2.6 nF @ 25V
構成:
三相インバーター
NTCのサーミスター:
そうだ
基本製品番号:
MIP50
支払及び船積みの言葉
ストック
ストック
輸送方法
LCL,AIR,FCL,エクスプレス
記述
IGBT モジュール 1200V 50A,E2A
支払条件
L/C,D/A,D/P,T/T,ウェスタンユニオン,マネーグラム
製品の説明
IGBT モジュール 三相インバーター 1200 V 50 A 288 W シャーシマウント E2A

札:

トランジスターIC破片,

埋め込まれた破片,

埋め込まれた破片SMD

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