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DF200R12KE3HOSA1
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DF200R12KE3HOSA1

DF200R12KE3HOSA1

プロダクト細部
カテゴリー:
離散半導体製品 トランジスタ IGBT IGBT モジュール
現在-コレクターの締切り（最高）:
5 mA
製品の状況:
アクティブ
マウントタイプ:
シャーシマウント
パッケージ:
トレー
シリーズ:
-
Vce （） （最高） @ Vge、IC:
2.15V @ 15V,200A
電圧-コレクターのエミッターの故障（最高）:
1200ボルト
供給者のデバイスパッケージ:
モジュール
Mfr:
インフィニオン・テクノロジーズ
動作温度:
-40°C | 125°C
パワー最高:
1040W
IGBTのタイプ:
-
パッケージ/ケース:
モジュール
インプット:
スタンダード
入れられたキャパシタンス（Cies） @ Vce:
14 nF @ 25 V
構成:
シングル
NTCのサーミスター:
違う
基本製品番号:
DF200R12
支払及び船積みの言葉
ストック
ストック
輸送方法
LCL,AIR,FCL,エクスプレス
記述
IGBT モジュール 1200V 1040W
支払条件
L/C,D/A,D/P,T/T,ウェスタンユニオン,マネーグラム
製品の説明
IGBT モジュール 単体 1200 V 1040 W シャシーマウント モジュール

札:

トランジスターIC破片,

埋め込まれた破片,

埋め込まれた破片SMD

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