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MG50P12E2A
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MG50P12E2A

MG50P12E2A

プロダクト細部
カテゴリー:
離散半導体製品 トランジスタ IGBT IGBT モジュール
現在-コレクター（（最高） IC）:
50 A
製品の状況:
アクティブ
マウントタイプ:
シャーシマウント
パッケージ:
散装品
シリーズ:
-
パッケージ/ケース:
モジュール
Vce （） （最高） @ Vge、IC:
2.25V @ 15V,35A
電圧-コレクターのエミッターの故障（最高）:
1200ボルト
供給者のデバイスパッケージ:
-
Mfr:
ヤンジ・テクノロジー
動作温度:
-40°C | 150°C （TJ）
現在-コレクターの締切り（最高）:
1 mA
IGBTのタイプ:
-
パワー最高:
227 W
インプット:
三相橋整流器
入れられたキャパシタンス（Cies） @ Vce:
2nF @ 25V
構成:
ブレーキが付いている三相インバーター
NTCのサーミスター:
そうだ
支払及び船積みの言葉
ストック
ストック
輸送方法
LCL,AIR,FCL,エクスプレス
記述
トランジスタ - IGBT - モジュールE2
支払条件
L/C,D/A,D/P,T/T,ウェスタンユニオン,マネーグラム
製品の説明
IGBT モジュール 3相インバーター ブレーキ付き 1200 V 50 A 227 W シャーシマウント

札:

トランジスターIC破片,

埋め込まれた破片,

埋め込まれた破片SMD

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