メッセージを送る
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
電子メール ice@tsdatech.com 電話番号: 86--13825240555
家 > 製品 > トランジスターIC破片 >
NE3511S02-A
  • NE3511S02-A
NE3511S02-A

NE3511S02-A

プロダクト細部
カテゴリー:
離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET RF FET,MOSFET
製品の状況:
時代遅れ
評価される電圧-:
4V
パッケージ:
散装品
シリーズ:
-
雑音指数:
0.3dB
供給者のデバイスパッケージ:
S02
電圧-テスト:
2ボルト
Mfr:
CEL
頻度:
12GHz
利益:
13.5dB
パッケージ/ケース:
4-SMD,フラットリード
現在-テスト:
10 mA
パワー出力:
-
テクノロジー:
GaAs HJ-FET
現在の評価（Amps）:
70mA
支払及び船積みの言葉
ストック
ストック
輸送方法
LCL,AIR,FCL,エクスプレス
記述
HJ-FET NCH 13.5DB S02
支払条件
L/C,D/A,D/P,T/T,ウェスタンユニオン,マネーグラム
製品の説明
RF モスフェット 2V 10mA 12GHz 13.5dB S02

札:

トランジスターIC破片,

埋め込まれた破片,

埋め込まれた破片SMD

推薦されたプロダクト

私達にいつでも連絡しなさい

86--13825240555
609第4018のbaoan道、Xixiangの通り、Baoan地区、シンセン、広東省
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
私達にあなたの照会を直接送りなさい