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BLF7G24LS-160P112
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BLF7G24LS-160P112

BLF7G24LS-160P112

プロダクト細部
カテゴリー:
離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET RF FET,MOSFET
製品の状況:
時代遅れ
マウントタイプ:
表面マウント
評価される電圧-:
65ボルト
パッケージ:
トレー
構成:
二重 共通 源
シリーズ:
-
雑音指数:
-
供給者のデバイスパッケージ:
SOT539B
電圧-テスト:
28ボルト
Mfr:
Ampleon USA Inc。
頻度:
2.3GHz ~ 2.4GHz
利益:
18.5dB
パッケージ/ケース:
SOT-539B
現在-テスト:
1.2A
パワー出力:
30W
テクノロジー:
ldmos
現在の評価（Amps）:
-
基本製品番号:
BLF7G24
支払及び船積みの言葉
ストック
ストック
輸送方法
LCL,AIR,FCL,エクスプレス
記述
RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT539B
支払条件
L/C,D/A,D/P,T/T,ウェスタンユニオン,マネーグラム
製品の説明
RF モスフェット 28 V 1.2 A 2.3GHz ~ 2.4GHz 18.5dB 30W SOT539B

札:

トランジスターIC破片,

埋め込まれた破片,

埋め込まれた破片SMD

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