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A2T20H330W24SR6
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A2T20H330W24SR6

A2T20H330W24SR6

プロダクト細部
カテゴリー:
離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET RF FET,MOSFET
製品の状況:
時代遅れ
マウントタイプ:
シャーシマウント
評価される電圧-:
65ボルト
パッケージ:
テープ&ロール (TR)
構成:
二重
シリーズ:
-
雑音指数:
-
供給者のデバイスパッケージ:
NI-1230-4LS2L
電圧-テスト:
28ボルト
Mfr:
NXP USA インク
頻度:
1.88GHz
利益:
16.5dB
パッケージ/ケース:
NI-1230-4LS2L
現在-テスト:
700 mA
パワー出力:
58W
テクノロジー:
ldmos
現在の評価（Amps）:
-
基本製品番号:
A2T20
支払及び船積みの言葉
ストック
ストック
輸送方法
LCL,AIR,FCL,エクスプレス
記述
IC TRANS RF LDMOS
支払条件
L/C,D/A,D/P,T/T,ウェスタンユニオン,マネーグラム
製品の説明
RF モスフェット 28 V 700 mA 1.88GHz 16.5dB 58W NI-1230-4LS2L

札:

トランジスターIC破片,

埋め込まれた破片,

埋め込まれた破片SMD

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