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Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
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A3G26D055N-100
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A3G26D055N-100

A3G26D055N-100

プロダクト細部
カテゴリー:
離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET RF FET,MOSFET
製品の状況:
アクティブ
マウントタイプ:
表面マウント
評価される電圧-:
125ボルト
パッケージ:
散装品
シリーズ:
-
雑音指数:
-
供給者のデバイスパッケージ:
6PDFN (7x6.5)
電圧-テスト:
48V
Mfr:
NXP USA インク
頻度:
100MHz ~ 2.69GHz
利益:
13.9dB
パッケージ/ケース:
6-LDFN 露出パッド
現在-テスト:
40 mA
パワー出力:
8w
テクノロジー:
GaN
現在の評価（Amps）:
-
支払及び船積みの言葉
ストック
ストック
輸送方法
LCL,AIR,FCL,エクスプレス
記述
RF REF CIRCUIT 25W 100-2800MHZ について
支払条件
L/C,D/A,D/P,T/T,ウェスタンユニオン,マネーグラム
製品の説明
RF モスフェット 48 V 40 mA 100MHz ~ 2.69GHz 13.9dB 8W 6-PDFN (7x6.5)

札:

トランジスターIC破片,

埋め込まれた破片,

埋め込まれた破片SMD

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