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BLF8G24LS-200PNU
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BLF8G24LS-200PNU

BLF8G24LS-200PNU

プロダクト細部
カテゴリー:
離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET RF FET,MOSFET
製品の状況:
時代遅れ
マウントタイプ:
表面マウント
評価される電圧-:
65ボルト
パッケージ:
トレー
構成:
二重 共通 源
シリーズ:
-
雑音指数:
-
供給者のデバイスパッケージ:
SOT539B
電圧-テスト:
28ボルト
Mfr:
Ampleon USA Inc。
頻度:
2.3GHz ~ 2.4GHz
利益:
17.2dB
パッケージ/ケース:
SOT-539B
現在-テスト:
1.74A
パワー出力:
60W
テクノロジー:
ldmos
現在の評価（Amps）:
-
基本製品番号:
BLF8G24
支払及び船積みの言葉
ストック
ストック
輸送方法
LCL,AIR,FCL,エクスプレス
記述
RF FET LDMOS 65V 17.2DB SOT539B
支払条件
L/C,D/A,D/P,T/T,ウェスタンユニオン,マネーグラム
製品の説明
RF モスフェット 28 V 1.74 A 2.3GHz ~ 2.4GHz 17.2dB 60W SOT539B

札:

トランジスターIC破片,

埋め込まれた破片,

埋め込まれた破片SMD

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