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A3V26S004NT6
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A3V26S004NT6

A3V26S004NT6

プロダクト細部
カテゴリー:
離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET RF FET,MOSFET
製品の状況:
時代遅れ
マウントタイプ:
表面マウント
評価される電圧-:
105V
パッケージ:
テープ&ロール (TR)
シリーズ:
-
雑音指数:
-
供給者のデバイスパッケージ:
6PDFN (4x4.5)
電圧-テスト:
48V
Mfr:
NXP USA インク
頻度:
2.496GHz ~ 2.69GHz
利益:
23.3dB
パッケージ/ケース:
6-LDFN 露出パッド
現在-テスト:
16 mA
パワー出力:
26dBm
テクノロジー:
ldmos
現在の評価（Amps）:
10µA
支払及び船積みの言葉
ストック
ストック
輸送方法
LCL,AIR,FCL,エクスプレス
記述
AIRFAST RF POWER LDMOSトランジスタ
支払条件
L/C,D/A,D/P,T/T,ウェスタンユニオン,マネーグラム
製品の説明
RF モスフェット 48 V 16 mA 2.496GHz ~ 2.69GHz 23.3dB 26dBm 6-PDFN (4x4.5)

札:

トランジスターIC破片,

埋め込まれた破片,

埋め込まれた破片SMD

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