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1012GN-800V
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1012GN-800V

1012GN-800V

プロダクト細部
カテゴリー:
離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET RF FET,MOSFET
製品の状況:
アクティブ
マウントタイプ:
表面マウント
評価される電圧-:
150ボルト
パッケージ:
散装品
構成:
-
シリーズ:
V
雑音指数:
-
供給者のデバイスパッケージ:
55-KR
電圧-テスト:
54ボルト
Mfr:
マイクロチップ技術
頻度:
1.025GHz ~ 1.15GHz
利益:
19.3dB
パッケージ/ケース:
55-KR
現在-テスト:
120 mA
パワー出力:
825W
テクノロジー:
-
現在の評価（Amps）:
-
支払及び船積みの言葉
ストック
ストック
輸送方法
LCL,AIR,FCL,エクスプレス
記述
TRAN,GAN,1030/1090MHz,800W,
支払条件
L/C,D/A,D/P,T/T,ウェスタンユニオン,マネーグラム
製品の説明
RF モスフェット 54 V 120 mA 1.025GHz ~ 1.15GHz 19.3dB 825W 55-KR

札:

トランジスターIC破片,

埋め込まれた破片,

埋め込まれた破片SMD

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