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AFT26P100-4WSR3
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AFT26P100-4WSR3

AFT26P100-4WSR3

プロダクト細部
カテゴリー:
離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET RF FET,MOSFET
製品の状況:
時代遅れ
マウントタイプ:
表面マウント
評価される電圧-:
65ボルト
パッケージ:
テープ&ロール (TR)
構成:
二重
シリーズ:
-
雑音指数:
-
供給者のデバイスパッケージ:
NI-780S-4L
電圧-テスト:
28ボルト
Mfr:
NXP USA インク
頻度:
2.69GHz
利益:
15.1dB
パッケージ/ケース:
NI-780S-4L
現在-テスト:
200 mA
パワー出力:
22W
テクノロジー:
ldmos
現在の評価（Amps）:
-
基本製品番号:
AFT26
支払及び船積みの言葉
ストック
ストック
輸送方法
LCL,AIR,FCL,エクスプレス
記述
FET RF 2CH 65V 2.69GHZ NI780S-6
支払条件
L/C,D/A,D/P,T/T,ウェスタンユニオン,マネーグラム
製品の説明
RF モスフェット 28 V 200 mA 2.69GHz 15.1dB 22W NI-780S-4L

札:

トランジスターIC破片,

埋め込まれた破片,

埋め込まれた破片SMD

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