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BLP10H6120PGY
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BLP10H6120PGY

BLP10H6120PGY

プロダクト細部
カテゴリー:
離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET RF FET,MOSFET
製品の状況:
時代遅れ
マウントタイプ:
表面マウント
評価される電圧-:
110ボルト
パッケージ:
テープ&ロール (TR)
シリーズ:
-
雑音指数:
-
供給者のデバイスパッケージ:
4-HSOP
電圧-テスト:
50ボルト
Mfr:
Ampleon USA Inc。
頻度:
1GHz
利益:
18dB
パッケージ/ケース:
4-BESOP (0.173",4.40mm 幅)
現在-テスト:
80 mA
パワー出力:
120W
テクノロジー:
ldmos
現在の評価（Amps）:
1.4μA
基本製品番号:
BLP10
支払及び船積みの言葉
ストック
ストック
輸送方法
LCL,AIR,FCL,エクスプレス
記述
RF MOSFET LDMOS 50V 4-HSOP
支払条件
L/C,D/A,D/P,T/T,ウェスタンユニオン,マネーグラム
製品の説明
RF モスフェット 50 V 80 mA 1GHz 18dB 120W 4-HSOP

札:

トランジスターIC破片,

埋め込まれた破片,

埋め込まれた破片SMD

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