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BLF879P、112
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BLF879P、112

BLF879P、112

プロダクト細部
カテゴリー:
離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET RF FET,MOSFET
製品の状況:
時代遅れ
マウントタイプ:
シャーシマウント
評価される電圧-:
104V
パッケージ:
トレー
構成:
二重 共通 源
シリーズ:
-
雑音指数:
-
供給者のデバイスパッケージ:
SOT539A
電圧-テスト:
42ボルト
Mfr:
Ampleon USA Inc。
頻度:
860MHz
利益:
21dB
パッケージ/ケース:
SOT-539A
現在-テスト:
1.3 A
パワー出力:
200W
テクノロジー:
ldmos
現在の評価（Amps）:
-
支払及び船積みの言葉
ストック
ストック
輸送方法
LCL,AIR,FCL,エクスプレス
記述
RF FET LDMOS 104V 21DB SOT539A
支払条件
L/C,D/A,D/P,T/T,ウェスタンユニオン,マネーグラム
製品の説明
RF モスフェット 42 V 1.3 A 860MHz 21dB 200W SOT539A

札:

トランジスターIC破片,

埋め込まれた破片,

埋め込まれた破片SMD

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