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NE3514S02-T1C-A
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プロダクト細部
カテゴリー:
離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET RF FET,MOSFET
製品の状況:
時代遅れ
評価される電圧-:
4V
パッケージ:
テープ&ロール (TR)
シリーズ:
-
雑音指数:
0.75dB
供給者のデバイスパッケージ:
S02
電圧-テスト:
2ボルト
Mfr:
CEL
頻度:
20GHz
利益:
10dB
パッケージ/ケース:
4-SMD,フラットリード
現在-テスト:
10 mA
パワー出力:
-
テクノロジー:
GaAs HJ-FET
現在の評価（Amps）:
70mA
支払及び船積みの言葉
ストック
ストック
輸送方法
LCL,AIR,FCL,エクスプレス
記述
HJ-FET NCH 10DB S02
支払条件
L/C,D/A,D/P,T/T,ウェスタンユニオン,マネーグラム
製品の説明
RF モスフェット 2V 10mA 20GHz 10dB S02

札:

トランジスターIC破片,

埋め込まれた破片,

埋め込まれた破片SMD

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