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A3G18H500-04SR3
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A3G18H500-04SR3

A3G18H500-04SR3

プロダクト細部
カテゴリー:
離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET RF FET,MOSFET
製品の状況:
アクティブ
マウントタイプ:
表面マウント
評価される電圧-:
125ボルト
パッケージ:
テープ&ロール (TR)
構成:
二重
シリーズ:
-
雑音指数:
-
供給者のデバイスパッケージ:
NI-780S-4L
電圧-テスト:
48V
Mfr:
NXP USA インク
頻度:
1.805GHz ~ 1.88GHz
利益:
15.4dB
パッケージ/ケース:
NI-780S-4L
現在-テスト:
200 mA
パワー出力:
107W
テクノロジー:
ldmos
現在の評価（Amps）:
-
基本製品番号:
A3G18
支払及び船積みの言葉
ストック
ストック
輸送方法
LCL,AIR,FCL,エクスプレス
記述
RF MOSFET LDMOS 48V NI-780S-4L
支払条件
L/C,D/A,D/P,T/T,ウェスタンユニオン,マネーグラム
製品の説明
RF モスフェット 48 V 200 mA 1.805GHz ~ 1.88GHz 15.4dB 107W NI-780S-4L

札:

トランジスターIC破片,

埋め込まれた破片,

埋め込まれた破片SMD

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