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NE3521M04-A
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NE3521M04-A

NE3521M04-A

プロダクト細部
カテゴリー:
離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET RF FET,MOSFET
製品の状況:
時代遅れ
構成:
N-Channel
評価される電圧-:
3ボルト
パッケージ:
ストライプ
シリーズ:
-
雑音指数:
0.85dB
電圧-テスト:
2ボルト
Mfr:
CEL
頻度:
20GHz
利益:
10.5dB
パッケージ/ケース:
4-SMD,フラットリード
現在-テスト:
6mA
パワー出力:
-
テクノロジー:
GaAs HJ-FET
現在の評価（Amps）:
15mA
支払及び船積みの言葉
ストック
ストック
輸送方法
LCL,AIR,FCL,エクスプレス
記述
IC HJ-FET N-CH GAAS 4SMINI
支払条件
L/C,D/A,D/P,T/T,ウェスタンユニオン,マネーグラム
製品の説明
RF モスフェット 2V 6mA 20GHz 10.5dB

札:

トランジスターIC破片,

埋め込まれた破片,

埋め込まれた破片SMD

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