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PD20010S-E
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PD20010S-E

PD20010S-E

プロダクト細部
カテゴリー:
離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET RF FET,MOSFET
製品の状況:
時代遅れ
評価される電圧-:
40ボルト
パッケージ:
トゥーブ
シリーズ:
-
雑音指数:
-
供給者のデバイスパッケージ:
パワーSO-10RF (ストレート・リード)
電圧-テスト:
13.6 V
Mfr:
STMマイクロ電子機器
頻度:
2GHz
利益:
11dB
パッケージ/ケース:
PowerSO-10RF 露出型底パッド (2本の直線)
現在-テスト:
150 mA
パワー出力:
10W
テクノロジー:
ldmos
現在の評価（Amps）:
5A
基本製品番号:
PD20010
支払及び船積みの言葉
ストック
ストック
輸送方法
LCL,AIR,FCL,エクスプレス
記述
TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
支払条件
L/C,D/A,D/P,T/T,ウェスタンユニオン,マネーグラム
製品の説明
RF モスフェット 13.6 V 150 mA 2GHz 11dB 10W パワーSO-10RF (ストレートリード)

札:

トランジスターIC破片,

埋め込まれた破片,

埋め込まれた破片SMD

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