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MMRF1013HR5
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MMRF1013HR5

MMRF1013HR5

プロダクト細部
カテゴリー:
離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET RF FET,MOSFET
製品の状況:
時代遅れ
マウントタイプ:
シャーシマウント
評価される電圧-:
65ボルト
パッケージ:
テープ&ロール (TR)
構成:
二重
シリーズ:
-
雑音指数:
-
供給者のデバイスパッケージ:
NI-1230-4H
電圧-テスト:
30ボルト
Mfr:
NXP USA インク
頻度:
2.9GHZ
利益:
13.3dB
パッケージ/ケース:
SOT-979A
現在-テスト:
100 mA
パワー出力:
320W
テクノロジー:
ldmos
現在の評価（Amps）:
-
基本製品番号:
MMRF1013
支払及び船積みの言葉
ストック
ストック
輸送方法
LCL,AIR,FCL,エクスプレス
記述
FET RF 2CH 65V 2.9GHz
支払条件
L/C,D/A,D/P,T/T,ウェスタンユニオン,マネーグラム
製品の説明
RF モスフェット 30 V 100 mA 2.9GHz 13.3dB 320W NI-1230-4H

札:

トランジスターIC破片,

埋め込まれた破片,

埋め込まれた破片SMD

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