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NE3513M04-A
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NE3513M04-A

NE3513M04-A

プロダクト細部
カテゴリー:
離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET RF FET,MOSFET
製品の状況:
時代遅れ
構成:
N-Channel
評価される電圧-:
4V
パッケージ:
散装品
シリーズ:
-
雑音指数:
0.65dB
供給者のデバイスパッケージ:
M04
電圧-テスト:
2ボルト
Mfr:
CEL
頻度:
12GHz
利益:
13dB
パッケージ/ケース:
SOT-343F
現在-テスト:
10 mA
パワー出力:
125mW
テクノロジー:
GaAs HJ-FET
現在の評価（Amps）:
60mA
支払及び船積みの言葉
ストック
ストック
輸送方法
LCL,AIR,FCL,エクスプレス
記述
FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD
支払条件
L/C,D/A,D/P,T/T,ウェスタンユニオン,マネーグラム
製品の説明
RF モスフェット 2 V 10 mA 12GHz 13dB 125mW M04

札:

トランジスターIC破片,

埋め込まれた破片,

埋め込まれた破片SMD

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