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NE6510179A-A
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プロダクト細部
カテゴリー:
離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET RF FET,MOSFET
製品の状況:
時代遅れ
評価される電圧-:
8ボルト
パッケージ:
散装品
シリーズ:
-
雑音指数:
-
供給者のデバイスパッケージ:
79A
電圧-テスト:
3.5 V
Mfr:
CEL
頻度:
1.9GHz
利益:
10dB
パッケージ/ケース:
4-SMD,フラットリード
現在-テスト:
200 mA
パワー出力:
32.5dBm
テクノロジー:
GaAs HJ-FET
現在の評価（Amps）:
2.8A
支払及び船積みの言葉
ストック
ストック
輸送方法
LCL,AIR,FCL,エクスプレス
記述
FET RF 8V 1.9GHZ 79A
支払条件
L/C,D/A,D/P,T/T,ウェスタンユニオン,マネーグラム
製品の説明
RF モスフェット 3.5 V 200 mA 1.9GHz 10dB 32.5dBm 79A

札:

トランジスターIC破片,

埋め込まれた破片,

埋め込まれた破片SMD

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