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NE3515S02-A
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NE3515S02-A

NE3515S02-A

プロダクト細部
カテゴリー:
離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET RF FET,MOSFET
製品の状況:
時代遅れ
評価される電圧-:
4V
パッケージ:
散装品
シリーズ:
-
雑音指数:
0.3dB
供給者のデバイスパッケージ:
S02
電圧-テスト:
2ボルト
Mfr:
CEL
頻度:
12GHz
利益:
12.5dB
パッケージ/ケース:
4-SMD,フラットリード
現在-テスト:
10 mA
パワー出力:
14dBm
テクノロジー:
GaAs HJ-FET
現在の評価（Amps）:
88mA
基本製品番号:
NE3515
支払及び船積みの言葉
ストック
ストック
輸送方法
LCL,AIR,FCL,エクスプレス
記述
FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02
支払条件
L/C,D/A,D/P,T/T,ウェスタンユニオン,マネーグラム
製品の説明
RF モスフェット 2V 10mA 12GHz 12.5dB 14dBm S02

札:

トランジスターIC破片,

埋め込まれた破片,

埋め込まれた破片SMD

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