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MHT1108NT1
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MHT1108NT1

MHT1108NT1

プロダクト細部
カテゴリー:
離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET RF FET,MOSFET
製品の状況:
時代遅れ
マウントタイプ:
表面マウント
評価される電圧-:
65ボルト
パッケージ:
テープ&ロール (TR)
シリーズ:
-
雑音指数:
-
供給者のデバイスパッケージ:
16-DFN (4x6)
電圧-テスト:
32ボルト
Mfr:
NXP USA インク
頻度:
2.45GHz
利益:
18.6dB
パッケージ/ケース:
16-VDFN 露出パッド
現在-テスト:
110 mA
パワー出力:
12.5W
テクノロジー:
ldmos
現在の評価（Amps）:
10µA
基本製品番号:
MHT11
支払及び船積みの言葉
ストック
ストック
輸送方法
LCL,AIR,FCL,エクスプレス
記述
RF POWER LDMOS トランジスタ
支払条件
L/C,D/A,D/P,T/T,ウェスタンユニオン,マネーグラム
製品の説明
RF モスフェット 32 V 110 mA 2.45GHz 18.6dB 12.5W 16-DFN (4x6)

札:

トランジスターIC破片,

埋め込まれた破片,

埋め込まれた破片SMD

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