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PTF210101M V1
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PTF210101M V1

PTF210101M V1

プロダクト細部
カテゴリー:
離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET RF FET,MOSFET
製品の状況:
時代遅れ
マウントタイプ:
表面マウント
評価される電圧-:
65ボルト
パッケージ:
テープ&ロール (TR)
シリーズ:
ゴールドモス®
雑音指数:
-
供給者のデバイスパッケージ:
PG-RFP-10
電圧-テスト:
28ボルト
Mfr:
インフィニオン・テクノロジーズ
頻度:
2.17GHz
利益:
15dB
パッケージ/ケース:
10-TFSOP、10-MSOP （0.118"、3.00mmの幅）
現在-テスト:
180 mA
パワー出力:
10W
テクノロジー:
ldmos
現在の評価（Amps）:
1µA
支払及び船積みの言葉
ストック
ストック
輸送方法
LCL,AIR,FCL,エクスプレス
記述
IC FET RF LDMOS 10W TSSOP-10
支払条件
L/C,D/A,D/P,T/T,ウェスタンユニオン,マネーグラム
製品の説明
RF モスフェット 28 V 180 mA 2.17GHz 15dB 10W PG-RFP-10

札:

トランジスターIC破片,

埋め込まれた破片,

埋め込まれた破片SMD

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