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IGN1011L70
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IGN1011L70

IGN1011L70

プロダクト細部
カテゴリー:
離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET RF FET,MOSFET
製品の状況:
アクティブ
マウントタイプ:
シャーシマウント
評価される電圧-:
120ボルト
パッケージ:
散装品
シリーズ:
-
雑音指数:
-
供給者のデバイスパッケージ:
PL32A2
電圧-テスト:
50ボルト
Mfr:
インテグラ・テクノロジーズ
頻度:
1.03GHz ~ 1.09GHz
利益:
22dB
パッケージ/ケース:
PL32A2
現在-テスト:
22 mA
パワー出力:
80W
テクノロジー:
GAN HEMT
現在の評価（Amps）:
-
支払及び船積みの言葉
ストック
ストック
輸送方法
LCL,AIR,FCL,エクスプレス
記述
GAN,RF パワートランジスタ,Lバンド
支払条件
L/C,D/A,D/P,T/T,ウェスタンユニオン,マネーグラム
製品の説明
RF モスフェット 50 V 22 mA 1.03GHz ~ 1.09GHz 22dB 80W PL32A2

札:

トランジスターIC破片,

埋め込まれた破片,

埋め込まれた破片SMD

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