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SMUN2230T1G
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SMUN2230T1G

SMUN2230T1G

プロダクト細部
カテゴリー:
離散半導体製品 トランジスタ 双極性 (BJT) 単一のバイアスバイアスバイアストランジスタ
現在-コレクター（（最高） IC）:
100 mA
製品の状況:
アクティブ
トランジスター タイプ:
前偏りのあるNPN -
マウントタイプ:
表面マウント
パッケージ:
テープ&ロール (TR)
シリーズ:
-
Vceの飽和（最高） @ Ib、IC:
250mV @ 5mA, 10mA
電圧-コレクターのエミッターの故障（最高）:
50ボルト
供給者のデバイスパッケージ:
SC-59
抵抗器-基盤（R1）:
1 kOhms
Mfr:
一半
抵抗器-エミッターの基盤（R2）:
1 kOhms
現在-コレクターの締切り（最高）:
500nA
パワー最高:
230 MW
パッケージ/ケース:
TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
DCの現在の利益（hFE） （分） @ IC、Vce:
3 @ 5mA, 10V
基本製品番号:
SMUN2230
支払及び船積みの言葉
ストック
ストック
輸送方法
LCL,AIR,FCL,エクスプレス
記述
トランスプレビアス NPN 230MW SC59
支払条件
L/C,D/A,D/P,T/T,ウェスタンユニオン,マネーグラム
製品の説明
偏向型バイポラールトランジスタ (BJT) NPN - 偏向型50V 100mA 230mW 表面マウント SC-59

札:

トランジスターIC破片,

埋め込まれた破片,

埋め込まれた破片SMD

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