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DTC124XET1
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DTC124XET1

DTC124XET1

プロダクト細部
カテゴリー:
離散半導体製品 トランジスタ 双極性 (BJT) 単一のバイアスバイアスバイアストランジスタ
現在-コレクター（（最高） IC）:
100 mA
製品の状況:
時代遅れ
トランジスター タイプ:
前偏りのあるNPN -
マウントタイプ:
表面マウント
パッケージ:
テープ&ロール (TR)
シリーズ:
-
Vceの飽和（最高） @ Ib、IC:
250mV @ 1mA, 10mA
電圧-コレクターのエミッターの故障（最高）:
50ボルト
供給者のデバイスパッケージ:
SC-75、SOT-416
抵抗器-基盤（R1）:
22のkOhms
Mfr:
一半
抵抗器-エミッターの基盤（R2）:
47のkOhms
現在-コレクターの締切り（最高）:
500nA
パワー最高:
200 MW
パッケージ/ケース:
SC-75、SOT-416
DCの現在の利益（hFE） （分） @ IC、Vce:
80 @ 5mA、10V
基本製品番号:
DTC124
支払及び船積みの言葉
ストック
ストック
輸送方法
LCL,AIR,FCL,エクスプレス
記述
トランスプレビアス NPN 200MW SC75
支払条件
L/C,D/A,D/P,T/T,ウェスタンユニオン,マネーグラム
製品の説明
バイアス式バイポラトランジスタ (BJT) NPN - バイアス式50 V 100 mA 200 mW 表面マウント SC-75,SOT-416

札:

トランジスターIC破片,

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埋め込まれた破片SMD

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