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PDTC144WE115
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PDTC144WE115

PDTC144WE115

プロダクト細部
カテゴリー:
離散半導体製品 トランジスタ 双極性 (BJT) 単一のバイアスバイアスバイアストランジスタ
現在-コレクター（（最高） IC）:
100 mA
製品の状況:
時代遅れ
トランジスター タイプ:
前偏りのあるNPN -
マウントタイプ:
表面マウント
パッケージ:
テープ&ロール (TR) 切断テープ (CT) Digi-Reel®
シリーズ:
-
Vceの飽和（最高） @ Ib、IC:
150mV @ 500μA, 10mA
電圧-コレクターのエミッターの故障（最高）:
50ボルト
供給者のデバイスパッケージ:
SC-75
抵抗器-基盤（R1）:
47のkOhms
Mfr:
NXP USA インク
抵抗器-エミッターの基盤（R2）:
22のkOhms
現在-コレクターの締切り（最高）:
1µA
パワー最高:
150 MW
パッケージ/ケース:
SC-75、SOT-416
DCの現在の利益（hFE） （分） @ IC、Vce:
60 @ 5mA, 5V
基本製品番号:
PDTC144
支払及び船積みの言葉
ストック
ストック
輸送方法
LCL,AIR,FCL,エクスプレス
記述
トランスプレビアス NPN 150MW SC75
支払条件
L/C,D/A,D/P,T/T,ウェスタンユニオン,マネーグラム
製品の説明
前偏りのある両極トランジスター（BJT） NPN -前偏りのある50のV 100 mA 150 MWの表面の台紙SC-75

札:

トランジスターIC破片,

埋め込まれた破片,

埋め込まれた破片SMD

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