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EML17T2R
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EML17T2R

EML17T2R

プロダクト細部
カテゴリー:
離散半導体製品 トランジスタ 双極性 (BJT) 単一のバイアスバイアスバイアストランジスタ
現在-コレクター（（最高） IC）:
30 mA
製品の状況:
新しい デザイン の ため の もの で は ない
トランジスター タイプ:
PNP - バイアス + ダイオード
頻度-転移:
250 MHz
マウントタイプ:
表面マウント
パッケージ:
テープ&ロール (TR)
シリーズ:
-
Vceの飽和（最高） @ Ib、IC:
300mV @ 500µA、10mA
電圧-コレクターのエミッターの故障（最高）:
50ボルト
供給者のデバイスパッケージ:
EMT5
抵抗器-基盤（R1）:
47のkOhms
Mfr:
ローム半導体
抵抗器-エミッターの基盤（R2）:
47のkOhms
現在-コレクターの締切り（最高）:
500nA
パワー最高:
120 MW
パッケージ/ケース:
6-SMD （5つの鉛）、平らな鉛
DCの現在の利益（hFE） （分） @ IC、Vce:
68 @ 5mA, 5V
基本製品番号:
EML17
支払及び船積みの言葉
ストック
ストック
輸送方法
LCL,AIR,FCL,エクスプレス
記述
トランスプレビアス PNP 0.12W EMT5
支払条件
L/C,D/A,D/P,T/T,ウェスタンユニオン,マネーグラム
製品の説明
バイアス式バイポラールトランジスタ (BJT) PNP - バイアス式バイアス式+ダイオード 50 V 30 mA 250 MHz 120 mW 表面マウント EMT5

札:

トランジスターIC破片,

埋め込まれた破片,

埋め込まれた破片SMD

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