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PDTC115EEF115
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PDTC115EEF115

PDTC115EEF115

プロダクト細部
カテゴリー:
離散半導体製品 トランジスタ 双極性 (BJT) 単一のバイアスバイアスバイアストランジスタ
現在-コレクター（（最高） IC）:
20 mA
製品の状況:
時代遅れ
トランジスター タイプ:
前偏りのあるNPN -
マウントタイプ:
表面マウント
パッケージ:
テープ及び巻き枠（TR） 切りなさいテープ（CT）を
シリーズ:
-
Vceの飽和（最高） @ Ib、IC:
150mV @ 250μA, 5mA
電圧-コレクターのエミッターの故障（最高）:
50ボルト
供給者のデバイスパッケージ:
SC-89
抵抗器-基盤（R1）:
100つのkOhms
Mfr:
NXP USA インク
抵抗器-エミッターの基盤（R2）:
100つのkOhms
現在-コレクターの締切り（最高）:
1µA
パワー最高:
250mW
パッケージ/ケース:
SC-89、SOT-490
DCの現在の利益（hFE） （分） @ IC、Vce:
80 @ 5mA, 5V
基本製品番号:
PDTC115
支払及び船積みの言葉
ストック
ストック
輸送方法
LCL,AIR,FCL,エクスプレス
記述
トランスプレビアス NPN 250MW SC89
支払条件
L/C,D/A,D/P,T/T,ウェスタンユニオン,マネーグラム
製品の説明
バイアス式バイポーラトランジスタ (BJT) NPN - バイアス式50V 20mA 250mW 表面マウント SC-89

札:

トランジスターIC破片,

埋め込まれた破片,

埋め込まれた破片SMD

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