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Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
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プロダクト細部
カテゴリー:
離散半導体製品 トランジスタ 双極性 (BJT) 単一のバイアスバイアスバイアストランジスタ
現在-コレクター（（最高） IC）:
100 mA
製品の状況:
アクティブ
トランジスター タイプ:
前偏りのあるNPN -
頻度-転移:
250 MHz
マウントタイプ:
表面マウント
パッケージ:
テープ&ロール (TR)
シリーズ:
DDTC (R1 R2シリーズ) E
Vceの飽和（最高） @ Ib、IC:
300mV @ 500µA、10mA
電圧-コレクターのエミッターの故障（最高）:
50ボルト
供給者のデバイスパッケージ:
SOT-523
抵抗器-基盤（R1）:
2.2のkOhms
Mfr:
ディオード組み込み
抵抗器-エミッターの基盤（R2）:
10のkOhms
現在-コレクターの締切り（最高）:
500nA
パワー最高:
150 MW
パッケージ/ケース:
SOT-523
DCの現在の利益（hFE） （分） @ IC、Vce:
33 @ 10mA、5V
基本製品番号:
DDTC123
支払及び船積みの言葉
ストック
ストック
輸送方法
LCL,AIR,FCL,エクスプレス
記述
トランスプレビアス NPN 150MW SOT523
支払条件
L/C,D/A,D/P,T/T,ウェスタンユニオン,マネーグラム
製品の説明
バイアス式バイポラトランジスタ (BJT) NPN - バイアス式50V 100mA 250MHz 150mW 表面マウント SOT-523

札:

トランジスターIC破片,

埋め込まれた破片,

埋め込まれた破片SMD

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