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PDTC323TK115
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PDTC323TK115

PDTC323TK115

プロダクト細部
カテゴリー:
離散半導体製品 トランジスタ 双極性 (BJT) 単一のバイアスバイアスバイアストランジスタ
現在-コレクター（（最高） IC）:
500 mA
製品の状況:
時代遅れ
トランジスター タイプ:
前偏りのあるNPN -
マウントタイプ:
表面マウント
パッケージ:
テープ&ロール (TR)
シリーズ:
-
Vceの飽和（最高） @ Ib、IC:
80mV @ 2.5mA, 50mA
電圧-コレクターのエミッターの故障（最高）:
15ボルト
供給者のデバイスパッケージ:
SMT3 MPAK
抵抗器-基盤（R1）:
2.2のkOhms
Mfr:
NXP USA インク
現在-コレクターの締切り（最高）:
500nA
パワー最高:
250mW
パッケージ/ケース:
TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
DCの現在の利益（hFE） （分） @ IC、Vce:
100 @ 50mA 5V
基本製品番号:
PDTC32
支払及び船積みの言葉
ストック
ストック
輸送方法
LCL,AIR,FCL,エクスプレス
記述
トランスプレビアス NPN 250MW SMT3
支払条件
L/C,D/A,D/P,T/T,ウェスタンユニオン,マネーグラム
製品の説明
前向きのバイポラールトランジスタ (BJT) NPN - 前向きの15 V 500 mA 250 mW 表面マウント SMT3; MPAK

札:

トランジスターIC破片,

埋め込まれた破片,

埋め込まれた破片SMD

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