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  • IXFN38N100Q2
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IXFN38N100Q2

プロダクト細部
パッケージ::
トゥーブ
高さ::
9.6mm
Id - 連続流出電流::
38 A
Pd -電力損失::
890 W
パッケージ::
モジュール
製品カテゴリー::
分離した半導体モジュール
RoHS::
緑の利用できる
秋の時間::
15 ns
チャネルの数::
1つのチャネル
工場パックの量::
10
Vgs - ゲートソースの電圧::
- 30ボルト、+ 30ボルト
製品::
パワー MOSFET モジュール
メーカー::
IXYS
支払及び船積みの言葉
ストック
ストック
輸送方法
LCL,AIR,FCL,エクスプレス
記述
離散半導体モジュール 38 Amp 1000V 0.25 Rds
支払条件
L/C,D/A,D/P,T/T,ウェスタンユニオン,マネーグラム
製品の説明
IXYSのIXFN38N100Q2は 離散半導体モジュールです 私たちが提供するものは グローバル市場で競争力のある価格で オリジナル部品と新品部品です商品についてもっと知りたかったり 価格を低くしたい場合はオンラインチャットでご連絡ください!

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