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VS-GT200TS065N
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VS-GT200TS065N

VS-GT200TS065N

プロダクト細部
カテゴリー:
離散半導体製品 トランジスタ IGBT IGBT モジュール
現在-コレクター（（最高） IC）:
193A
製品の状況:
アクティブ
マウントタイプ:
シャーシマウント
パッケージ:
箱
シリーズ:
FRED Pt®
パッケージ/ケース:
モジュール
Vce （） （最高） @ Vge、IC:
2.3V @ 15V,200A
電圧-コレクターのエミッターの故障（最高）:
650ボルト
供給者のデバイスパッケージ:
INT-A-PAK IGBT
Mfr:
Vishay大将半導体-ダイオード部
現在-コレクターの締切り（最高）:
100μA
IGBTのタイプ:
堀
パワー最高:
517W
インプット:
スタンダード
動作温度:
-40°C | 175°C （TJ）
構成:
半分橋インバーター
NTCのサーミスター:
違う
支払及び船積みの言葉
記述
モジュール IGBT - IAP IGBT
製品の説明
IGBT モジュール トレンチ ハーフブリッジ インバーター 650 V 193 A 517 W シャーシマウント INT-A-PAK IGBT

札:

トランジスターIC破片,

埋め込まれた破片,

埋め込まれた破片SMD

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