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APT50GP60JDQ2
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APT50GP60JDQ2

APT50GP60JDQ2

プロダクト細部
カテゴリー:
離散半導体製品 トランジスタ IGBT IGBT モジュール
現在-コレクター（（最高） IC）:
100 A
製品の状況:
アクティブ
マウントタイプ:
シャーシマウント
パッケージ:
トゥーブ
シリーズ:
力MOS 7®
パッケージ/ケース:
SOT-227-4のminiBLOC
Vce （） （最高） @ Vge、IC:
2.7V @ 15V,50A
電圧-コレクターのエミッターの故障（最高）:
600ボルト
供給者のデバイスパッケージ:
ISOTOP®
Mfr:
マイクロチップ技術
動作温度:
-55°C | 150°C （TJ）
現在-コレクターの締切り（最高）:
525 μA
IGBTのタイプ:
PT
パワー最高:
329W
インプット:
スタンダード
入れられたキャパシタンス（Cies） @ Vce:
5.7 nF @ 25V
構成:
シングル
NTCのサーミスター:
違う
基本製品番号:
APT50GP60
支払及び船積みの言葉
記述
IGBT MOD 600V 100A 329W ISOTOP
製品の説明
IGBT モジュール PT シングル 600 V 100 A 329 W シャーシマウント ISOTOP®

札:

トランジスターIC破片,

埋め込まれた破片,

埋め込まれた破片SMD

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