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MG150HF12LEC2
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MG150HF12LEC2

MG150HF12LEC2

プロダクト細部
カテゴリー:
離散半導体製品 トランジスタ IGBT IGBT モジュール
現在-コレクター（（最高） IC）:
150 A
製品の状況:
アクティブ
マウントタイプ:
シャーシマウント
パッケージ:
散装品
シリーズ:
-
パッケージ/ケース:
モジュール
Vce （） （最高） @ Vge、IC:
3.5V @ 15V, 150A
電圧-コレクターのエミッターの故障（最高）:
1200ボルト
供給者のデバイスパッケージ:
-
Mfr:
ヤンジ・テクノロジー
動作温度:
-40°C | 125°C （TJ）
現在-コレクターの締切り（最高）:
1 mA
IGBTのタイプ:
NPT
パワー最高:
1136W
インプット:
スタンダード
入れられたキャパシタンス（Cies） @ Vce:
9.8 nF @ 25V
構成:
単一スイッチ
NTCのサーミスター:
違う
支払及び船積みの言葉
記述
トランジスタ - IGBT - モジュールC2
製品の説明
IGBT モジュール NPT シングルスイッチ 1200 V 150 A 1136 W シャーシマウント

札:

トランジスターIC破片,

埋め込まれた破片,

埋め込まれた破片SMD

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