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集積回路の破片NPNのトランジスターMOSのダイオードの原物電子IPT60R022S7XTMA1
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集積回路の破片NPNのトランジスターMOSのダイオードの原物電子IPT60R022S7XTMA1

起源の場所 中国
ブランド名 Original Factory
証明 Lead free / RoHS Compliant
モデル番号 IPT60R022S7XTMA1
プロダクト細部
タイプ:
集積回路
ブランド名:
Original Factory
モデル番号:
IPT60R022S7XTMA1
埋め込まれたブロックのRAM::
28620 Kbit
RAM::
48ビット
温度::
-55°C | 150°C (TJ)
電圧-供給::
4ボルト3.5 V 4.5 V
製品名:
集積回路の破片
ハイライト: 

元の電子IPT60R022S7XTMA1

,

集積回路の破片IPT60R022S7XTMA1

,

MOSのダイオードIPT60R022S7XTMA1

支払及び船積みの言葉
最小注文数量
8
パッケージの詳細
PQFN 3.3 x 3.3
受渡し時間
2-5の仕事日
支払条件
T/T、L/C、ウェスタン・ユニオン
供給の能力
1ヶ月あたりの80000の部分/部分
製品の説明

集積回路の破片NPNのトランジスターMOSのダイオードの原物電子IPT60R022S7XTMA1

製品の説明

  • 最大限に活用される伝導性
  • SMDのパッケージの最高にクラスのRDS ()
  • 高い流れの改善された転換の性能のためのケルビンの源ピン
  • 通行料のパッケージは迎合的な、完全に無鉛目で見て鉛を確認すること容易なMSL1である

製品仕様書

部品番号: IPT60R022S7XTMA1
Rdsのオン下水管源の抵抗: 22 MOhms
最高ID 23 A
最高IDpuls 375 A
最高Ptot 390 W
パッケージ 通行料(HSOF-8)
QG (タイプ@10V) 150 NC
最高RDS () 22 mΩ
最高RDS () (@10V) 22 mΩ
最高VDS 600ボルト
最高VGS (Th)分 4ボルト3.5 V 4.5 V
入れられたキャパシタンス((最高) Ciss) @ Vds: 5639 PF @ 300ボルト
電力損失(最高): 390W (Tc)

FAQ


Q1:どの位あなたの受渡し時間はあるか。
:グループの購買の受渡し時間:30-60日;概要の受渡し時間:20日。
Q2:あなたのプロダクトを買う方法か。
:私達の会社からのプロダクトを直接買うことができる。通常プロシージャはあなたの国に配達に印契約、T/Tによる支払、連絡する運送会社に商品である。
Q3:あなたの受渡し時間はどうですか。
:通常、商品は、最終的に決まる1-7仕事で支払が受け取った幾日が順序の量によって後出荷される。
Q4:あなたのMOQは何であるか。
:一つ、それはあなたの特定の順序からの最低順序量の開始依存する!
Q5:私達はいかにあなたからサンプルを得てもいいか。
:サンプルは利用できる。通常私達はサンプルを整理するために2日を取る。あなたが付いている業績がの前になければ、私達はブーツのサンプル費用およびポストの急使の貨物を満たす必要がある。
Q6:あなたの製品品質は何であるか。配達の前にあなたの商品をすべてテストするか。
:はい、私達に配達の前に100%テストが、私達私達の会社の製品品質を保障してもいいある。すべてのプロダクトに30-90日の品質保証がある。

他のどのより多くの質問も、私達に連絡して自由に感じる。私達はあなたのサービスに常にある!

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609第4018のbaoan道、Xixiangの通り、Baoan地区、シンセン、広東省
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